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全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。这款新型半导体器件能够提供更加出色的热性能、系统效率和功率密度，专为应对工业应用的高性能和高可靠性要求而设计，例如电动汽车充电机、光伏逆变器、不间断电源、电机驱动和固态断路器等。
采用Q-DPAK封装的CoolSiC? MOSFET 1200V G2
这款CoolSiC 1200 V G2所采用的技术相较于上一代产品有显著的提升，可在导通电阻（Rds(on)）相同的情况下，开关损耗降低达25%，系统效率提升0.1%。基于英飞凌先进的.XT扩散焊技术，，G2系列产品的热阻相较于G1系列降低15%以上，MOSFET温度也降低了11%。凭借4 mΩ至78 mΩ的出色导通电阻和丰富的产品组合，设计人员能够灵活使用，提高系统性能，满足目标应用需求。此外，新技术支持在高达200°C结温（Tvj）下的过载运行，并具备出色的抗寄生导通能力，确保在动态且严苛的工况下实现可靠运行。
英飞凌CoolSiC MOSFET 1200 V G2提供单开关和双半桥两种Q-DPAK封装。两种型号均属于英飞凌更广泛的X-DPAK顶部散热平台。所有顶部散热（TSC）版本（包括 Q-DPAK 和 TOLT）的封装厚度统一为2.3 mm，具备高度的设计灵活性，使客户能够在单一散热器组件下灵活扩展和组合不同产品。这种设计灵活性简化了先进功率系统的开发，便于客户根据需求定制和扩展其解决方案。
Q-DPAK封装通过实现器件顶部与散热器之间的直接热传导，显著提升散热性能。与传统底部散热封装相比，这种直接热传导路径能够显著提高热传导效率，使系统设计更加紧凑。此外，Q-DPAK封装的布局设计大幅减少了寄生电感，对提高开关速度至关重要，有助于提升系统效率，并降低电压过冲风险。 。该封装由于占用空间小，适用于紧凑的系统设计，其与自动化装配流程的兼容性简化了制造过程，确保了成本效益和可扩展性。
供货情况
采用Q-DPAK单开关和双半桥封装的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2现已上市。
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